Qorvo 的 UJ3C120070K4S 是一款 1200 V、70 mohm Gen 3 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。该器件采用 TO-247-4L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 RDS(on)：70 mohm（典型值）
- 工作温度：175 °C（最高）
- 出色的反向恢复：Qrr = 113 nC
- 低体二极管 VFSD：1.41 V
- 低栅极电荷：QG = 46 nC
- 阈值电压 VG(th)：5.0 V（典型值）允许 0 至 15 V 驱动
- 低本征电容
- ESD 保护：HBM 2 级和 CDM C3 级
- TO-247-4L 封装可实现更快的开关、干净的栅极波形
VDS 最大值(V) | 1,200 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 70 |
内径最大值(A) | 34.5 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 是的 |
包装类型 | TO-247-4L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
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UF3C065080B3
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