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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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UF3C065080B3 栅极驱动 SiC 器件

型号： UF3C065080B3

--- 产品参数 ---

  • VDS 最大值(V) 650
  • RDS(on) 80
  • 内径最大值(A) 25
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽车资质 是的
  • 包装类型 D2PAK-3L

--- 产品详情 ---

UF3C065080B3

产品简介
Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-3L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，与推荐的 RC 缓冲器一起使用时非常适合开关电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

 

产品规格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 80
内径最大值(A) 25
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽车资质 是的
包装类型 D2PAK-3L

 

主要特征
导通电阻 (RDS(on))：80 mohm（典型值）
最高工作温度：175 °C
优秀的反向恢复
低栅极电荷
低本征电容
ESD 保护，HBM 2 级

 

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