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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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UF3C065080B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

栅极驱动
型号： UF3C065080B7S

--- 产品参数 ---

  • VDS 最大值(V) 650
  • RDS(on) 85
  • 内径最大值(A) 27
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽车资质 不是
  • 包装类型 D2PAK-7L

--- 产品详情 ---

UF3C065080B7S 

产品简介
Qorvo 的 UF3C065080B7S 650 V、85 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

 

产品规格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 85
内径最大值(A) 27
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽车资质 不是
包装类型 D2PAK-7L

 

主要特征
导通电阻 (RDS(on))：85 mohm（典型值）
最高工作温度：175 °C
出色的反向恢复：Qrr = 69 nC
低体二极管 VFSD：1.54 V
低栅极电荷：QG = 23 nC
阈值电压 VG(th)：4.8 V（典型值）允许 0 至 15 V 驱动

 

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