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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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UF3C065080K4S 栅极驱动 SiC 器件

型号： UF3C065080K4S

--- 产品参数 ---

  • VDS 最大值(V) 650
  • RDS(on) 80
  • 内径最大值(A) 31
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽车资质 是的
  • 包装类型 TO-247-4L

--- 产品详情 ---

UF3C065080K4S 

产品简介
Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 产品将其高性能 F3 SiC 快速 JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列使用 4 端子 TO-247 封装展示了非常快速的开关和任何类似额定值设备的最佳反向恢复特性。这些器件非常适合开关电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

 

产品规格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 80
内径最大值(A) 31
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽车资质 是的
包装类型 TO-247-4L

 

主要特征
导通电阻 (RDS(on))：80 mohm（典型值）
最高工作温度：175 °C
优秀的反向恢复
低栅极电荷
低本征电容
ESD 保护，HBM 2 级

 

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