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UF4SC120023K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

型号: UF4SC120023K4S

--- 产品参数 ---

  • VDS 最大值(V) 1,200
  • RDS(on) 23
  • 内径最大值(A) 53
  • 一代 第 4 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽车资质 不是
  • 包装类型 TO-247-4L

--- 产品详情 ---

UF4SC120023K4S 

产品简介
Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一款 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 TO-247-4L 封装,具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性,非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。

 

产品规格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 23
内径最大值(A) 53
一代 第 4 代
Tj 最大值(°C) 175
汽车资质 不是
包装类型 TO-247-4L

 

主要特征
导通电阻 (RDS(on)):23 mohm(典型值)
最高工作温度:175 °C
出色的反向恢复:Qrr = 341 nC
低体二极管 VFSD:1.2 V
低栅极电荷:QG = 37.8 nC
阈值电压 VG(th):4.8 V(典型值)允许 0 至 15 V 驱动

 

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