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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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UJ3N120035K3S 超低导通 SiC JFET 晶体管

JFET SiC 晶体管
型号： UJ3N120035K3S

--- 产品参数 ---

  • VDS 最大值(V) 1,200
  • RDS(on) 35
  • 内径最大值(A) 63
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽车资质 是的
  • 包装类型 TO-247-3L

--- 产品详情 ---

UJ3N120035K3S

产品简介
Qorvo 的 UJ3N120035K3S 是一款 1200 V、35 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG)，可实现低导通和开关损耗。在 VGS = 0 V 时具有低 RDS(ON) 的器件常开特性也非常适用于无需主动控制的电流保护电路以及 FET 操作。

 

产品规格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 35
内径最大值(A) 63
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽车资质 是的
包装类型 TO-247-3L

 

主要特征
导通电阻 (RDS(on))：35 mohm（典型值）
电压控制
最高工作温度：175 °C
极快的切换速度不依赖于温度
低栅极电荷
低本征电容

 

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