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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXGD3101N8 MOSFET 控制器

型号: ZXGD3101N8

--- 产品参数 ---

  • 符合 AEC 标准 是的
  • 合规性 标准
  • 电源电压 V CC 5伏
  • 静态电源电流 (mA 8毫安
  • 漏极电压 V D 180伏
  • 操作模式 DCM CrCM CCM
  • 开关频率 (kHz) ≤100 kHz
  • 比例栅极驱动控制 是的
  • 开启时间 T ON 500 纳秒
  • 关断阈值电压 (mV -16毫伏
  • 关断延迟时间 TOF 15纳秒
  • 栅极源极电流 2.5安
  • 栅极灌电流 2.5安

--- 产品详情 ---

ZXGD3101N8 

 产品简介
DIODES 的 ZXGD3101 指在驱动配置为理想二极管替代品的 MOSFET。这些AC-DC 转换器由差分放大器检测器级和大电流驱动器组成。检测器监控 MOSFET 的反向电压,这样如果体二极管发生导通,就会向 MOSFET 的栅极引脚施加正电压。一旦将正电压施加到栅极,MOSFET 就会导通,允许反向电流流动。然后,检测器的输出电压与 MOSFET 漏源反向压降成正比,并通过驱动器施加到栅极。此操作可在电流衰减时快速关断。

 

产品规格
符合 AEC 标准 是的
合规性(只有汽车支持 PPAP) 标准
电源电压 V CC  (V) 5伏
静态电源电流 (mA) 8毫安
漏极电压 V D  (V) 180伏
操作模式 DCM CrCM CCM
开关频率 (kHz) ≤100 kHz
比例栅极驱动控制 (Y|N) 是的
开启时间 T ON (ns) 500 纳秒
关断阈值电压 (mV) -16毫伏
关断延迟时间 TOFF (ns) 15纳秒
栅极源极电流 I SOURCE (A) 2.5安
栅极灌电流 I SINK (A) 2.5安

 

主要特征
关断传播延迟15ns,关断时间20ns。
适用于非连续模式(DCM),临界
传导模式(CrCM)和连续模式(CCM)活动
符合Energy Star V2.0和欧洲标准进行V3
无卤素部件 5-15V Vcc范围

 

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