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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXGD3105N8 MOSFET 控制器

型号: ZXGD3105N8

--- 产品参数 ---

  • 符合 AEC 标准 是的
  • 合规性 标准
  • 电源电压 V CC 25伏
  • 静态电源电流 (mA 1.56毫安
  • 漏极电压 V D 100伏
  • 操作模式 DCM CrCM CCM
  • 开关频率 (kHz) ≤500 kHz
  • 比例栅极驱动控制 是的
  • 开启时间 T ON 118纳秒
  • 关断阈值电压 (mV 10毫伏
  • 关断延迟时间 14纳秒
  • 栅极源极电流 4安
  • 栅极灌电流 9安

--- 产品详情 ---

ZXGD3105N8

 产品简介
DIODES 的 ZXGD3105N8同步控制器设计用于驱动MOSFET作为理想的整流器。这是为了取代二极管以提高功率传输效率。该器件由差分放大器检测器级和大电流驱动器组成。检测器监控 MOSFET 的反向电压,这样如果体二极管发生导通,就会向 MOSFET 的栅极引脚施加正电压。一旦将正电压施加到栅极,MOSFET 就会导通,允许反向电流流动。然后,检测器的输出电压与 MOSFET 漏源电压成正比,并通过驱动器施加到栅极。当漏极电流衰减到零时,此操作提供了快速 MOSFET 关断。

 

产品规格
符合 AEC 标准 是的
合规性(只有汽车支持 PPAP) 标准
电源电压 V CC  (V) 25伏
静态电源电流 (mA) 1.56毫安
漏极电压 V D  (V) 100伏
操作模式 DCM CrCM CCM
开关频率 (kHz) ≤500 kHz
比例栅极驱动控制 (Y|N) 是的
开启时间 T ON (ns) 118纳秒
关断阈值电压 (mV) 10毫伏
关断延迟时间 TOFF (ns) 14纳秒
栅极源极电流 I SOURCE (A) 4安
栅极灌电流 I SINK (A) 9安

 

主要特征
5至15V VCC范围
工作频率高达250kHz
180V漏极额定电压
使体二极管导通最小化的比例栅极驱动
关断传播延迟15ns,关断时间20ns
检测器阈值电压~10mV
备用电流5mA
适用于不连续模式(DCM)、临界传导
模式(CrCM)和连续模式(CCM)操作

 

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