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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

6.3k 内容数 56w+ 浏览量 88 粉丝

ZXGD3107N8 MOSFET 控制器

MOSFET 控制器 整流器
型号： ZXGD3107N8

--- 产品参数 ---

  • 符合 AEC 标准 不
  • 合规性 标准
  • 电源电压 V CC 40伏
  • 静态电源电流 (mA 1.79毫安
  • 漏极电压 V D 200伏
  • 操作模式 DCM CrCM CCM
  • 开关频率 (kHz) ≤500 kHz
  • 比例栅极驱动控制 是的
  • 开启时间 T ON 70 纳秒
  • 关断阈值电压 (mV 10毫伏
  • 关断延迟时间 15纳秒
  • 栅极源极电流 4安
  • 栅极灌电流 9安

--- 产品详情 ---

ZXGD3107N8

 
产品简介
DIODES 的 ZXGD3107N8同步控制器设计用于驱动MOSFET作为理想的整流器。这是为了取代二极管以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制监控 MOSFET 的反向电压，这样如果体二极管发生导通，就会向 MOSFET 的栅极引脚施加正电压。一旦将正电压施加到栅极，MOSFET 就会导通，允许反向电流流动。然后，控制器的输出电压与 MOSFET 漏源电压成正比，并通过驱动器施加到栅极。此操作可最大限度地减少体二极管传导，同时在漏极电流衰减至零时实现快速 MOSFET 关断。

 

产品规格
符合 AEC 标准 不
合规性（只有汽车支持 PPAP） 标准
电源电压 V CC  (V) 40伏
静态电源电流 (mA) 1.79毫安
漏极电压 V D  (V) 200伏
操作模式 DCM CrCM CCM
开关频率 (kHz) ≤500 kHz
比例栅极驱动控制 (Y|N) 是的
开启时间 T ON (ns) 70 纳秒
关断阈值电压 (mV) 10毫伏
关断延迟时间 TOFF (ns) 15纳秒
栅极源极电流 I SOURCE (A) 4安
栅极灌电流 I SINK (A) 9安

 

主要特征
比例栅极驱动可最大限度地减少体二极管传导
静态电源电流 < 1mA 的低待机功耗
4.5V 操作支持低电压电源
40V VCC 额定值
200V 漏极电压额定值
运行频率高达 500kHz
临界传导模式 (CrCM) 和连续模式 (CCM)
符合生态设计指令
完全无铅且完全符合 RoHS 标准
不含卤素和锑。“绿色”设备

 

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