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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXTN19020DG 低饱和 晶体管

晶体管
型号： ZXTN19020DG

--- 产品参数 ---

  • 类别 低饱和晶体管
  • 合规性 标准
  • 极性 NPN
  • VCEO, VCES 20
  • IC (A) 9
  • PD (W) 3
  • fT (兆赫) 160
  • RCE(饱和) (m 20

--- 产品详情 ---

ZXTN19020DG

 产品简介
DIODES 的 ZXTN19020DG 采用 SOT223 外形封装的这种新型低饱和 NPN 晶体管具有极低的导通状态损耗，使其非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格
类别    低饱和晶体管
合规性（只有汽车支持 PPAP） 标准
极性 NPN
VCEO, VCES (V) 20
IC (A)  9
ICM (A) 20
PD (W)  3
hFE（最小值） 300
hFE (@IC) (A) 0.1
h FE（最小 2） 130
hFE (@ IC2) (A) 9
VCE(sat) 最大值 (mV) 70
VCE (SAT) (@IC/IB) (A/mA) 1/10
VCE(sat)（最大 2）（mV） 80
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (兆赫) 160
RCE(饱和) (mΩ) 20

 

主要特征
BVCEX>70伏
BVECO>4.5伏
bvco>20伏
IC=9A连续集电极电流
极低饱和电压VCE（sat）<35mV@1A
RCE（sat）=20mΩ
互补PNP类型：ZXTN19020DG
完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准

 

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