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ZXTN19020DZ 低饱和 晶体管

半导体 晶体管
型号： ZXTN19020DZ

--- 产品参数 ---

  • 类别 低饱和晶体管
  • 合规性 标准
  • 极性 NPN
  • VCEO, VCES 20
  • IC (A) 7.5
  • ICM (A) 20
  • PD (W) 2.4
  • fT (兆赫) 160
  • RCE(饱和) (m 21

--- 产品详情 ---

ZXTN19020DZ


产品简介
DIODES 的 ZXTN19020DZ 这款新型低饱和 NPN 晶体管采用 SOT89 封装，具有极低的导通状态损耗，非常适合用于 DC-DC 电路和各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格
类别    低饱和晶体管
合规性（只有汽车支持 PPAP） 标准
极性 NPN
VCEO, VCES (V) 20
IC (A)  7.5
ICM (A) 20
PD (W)  2.4
hFE（最小值） 300
hFE (@IC) (A) 0.1
h FE（最小 2） 150
hFE (@ IC2) (A) 7.5
VCE(sat) 最大值 (mV) 70
VCE (SAT) (@IC/IB) (A/mA) 1/10
VCE(sat)（最大 2）（mV） 80
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (兆赫) 160
RCE(饱和) (mΩ) 21

 

主要特征
bvco>20伏
IC=7.5A连续电流
低饱和电压VCE（sat）<35mV@1A
Rsat=27米Ω 对于低等效导通电阻
完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
适用于需要特殊更改的汽车应用
控制（即符合AEC-Q100/101/200、PPAP的零件

 

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