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ZXTN2005G 低饱和 晶体管

半导体 晶体管
型号： ZXTN2005G

--- 产品参数 ---

  • 类别 低饱和晶体管
  • 合规性 汽车
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 25
  • IC (A) 7
  • ICM (A) 20
  • PD (W) 3
  • fT (MHz) 150
  • RCE(sat) ( 30

--- 产品详情 ---

ZXTN2005G

 
产品简介
DIODES 的 ZXTN2005G 这种采用 SOT223 封装的新型低饱和 25V NPN 晶体管具有极低的导通状态损耗，非常适合用于 DC-DC 电路和各种驱动和电源管理功能。


产品规格
类别   低饱和晶体管 
合规性（只有汽车支持 PPAP） 汽车
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 25
IC (A) 7
ICM (A) 20
PD (W) 3
hFE (Min) 300
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 200
hFE (@ IC2) (A) 7
VCE(sat) Max (mV) 40
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 140
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/10
fT (MHz) 150
RCE(sat) (mΩ) 30

 

主要特征
bvco>60伏
IC=7A连续集电极电流
ICM=20A峰值脉冲电流
低饱和电压VCE（sat）<1A时最大<50mV
RSAT=30mΩ@6.5A，用于低等效导通电阻
hFE规定高达20A用于高增益保持
无铅饰面；符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准

 

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