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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXTN2007G 低饱和 晶体管

半导体 晶体管
型号： ZXTN2007G

--- 产品参数 ---

  • 符合 AEC 标准 是的
  • 合规性 汽车
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 30
  • IC (A) 7
  • ICM (A) 20
  • PD (W) 3
  • fT (MHz) 140
  • RCE(sat) ( 28

--- 产品详情 ---

ZXTN2007G

 产品简介
DIODES 的 ZXTN2007G 这款新型低饱和 30V NPN 晶体管采用 SOT223 封装，导通状态损耗极低，非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格 
符合 AEC 标准  是的
合规性（只有汽车支持 PPAP） 汽车
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 30
IC (A) 7
ICM (A) 20
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 100
hFE (@ IC2) (A) 7
VCE(sat) Max (mV) 35
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/20
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/20
fT (MHz) 140
RCE(sat) (mΩ) 28

 

主要特征
bvco>30伏
IC=7A高连续电流
ICM=20A峰值脉冲电流
极低饱和电压
极低等效导通电阻；RCE（SAT）=50mΩ 在1年
高达28A的出色hFE特性
完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准

 

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