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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXTN2020F NPN 中功率 晶体管

NPN 半导体 晶体管
型号： ZXTN2020F

--- 产品参数 ---

  • 类别 低饱和晶体管
  • 合规性 标准
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 100
  • IC (A) 4
  • ICM (A) 12
  • PD (W) 1
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 30

--- 产品详情 ---

ZXTN2020F

 产品简介
DIODES 的 ZXTN2020F 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间非常宝贵的应用。

 

产品规格 
类别 低饱和晶体管
合规性（只有汽车支持 PPAP） 标准
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 4
ICM (A) 12
PD (W) 1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 35
hFE (@ IC2) (A) 4
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 105
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 30

 

主要特征
更高的功耗SOT23封装
高峰值电流
低饱和电压
160V正向阻断电压

 

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ZXTN19100CG
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