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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXTN2031F NPN 中功率 晶体管

NPN 晶体管
型号： ZXTN2031F

--- 产品参数 ---

  • 类别 低饱和晶体管
  • 合规性 标准
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 50
  • IC (A) 5
  • ICM (A) 12
  • PD (W) 1
  • fT (MHz) 125
  • RCE(sat) 24

--- 产品详情 ---

ZXTN2031F 

 
产品简介
DIODES 的 ZXTN2031F 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间非常宝贵的应用。

 

产品规格 
类别 低饱和晶体管
合规性（只有汽车支持 PPAP） 标准
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 50
IC (A) 5
ICM (A) 12
PD (W) 1
hFE (Min) 190
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 80
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 18
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 110
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 24

 

主要特征
bvco>50伏
BVCEV>80V正向闭锁电压，
IC=5A高连续集电极电流
ICM=12A集电极峰值电流
低饱和电压，VCE（SAT）<40mV@1A
RCE（SAT）=24mΩ 对于低等效导通电阻
互补PNP类型：ZXTP2025F

 

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