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ZXTP2006E6 低饱和 中功率 晶体管

半导体 晶体管
型号： ZXTP2006E6

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXTP2006E6
  • 名称 低饱和中功率晶体管
  • 产地 台湾
  • 封装 SMD/DIP

--- 产品详情 ---

ZXTP2006E6 

 产品简介
DIODES 的 ZXTP2006E6（PNP、20V、3.5A、SOT26）这款新型低饱和 20V PNP 晶体管采用 SOT26 封装，导通状态损耗极低，非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格 
品牌       DIODES
型号      ZXTP2006E6
名称       低饱和中功率晶体管
产地       台湾
封装       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-20伏
IC=-3.5A最大连续集电极电流
ICM=-10A峰值脉冲电流
RCE（SAT）=31米Ω 对于低等效导通电阻
低饱和电压（在1A/100mA时最大值为70mV）
hFE具有高达-10A的特性，用于高电流增益保持
完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准

 

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