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ZXTP2008Z PNP 低饱和 中功率 晶体管

半导体 晶体管
型号： ZXTP2008Z

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXTP2008Z
  • 名称 PNP低饱和中功率晶体管
  • 产地 台湾
  • 封装 SMD/DIP

--- 产品详情 ---

ZXTP2008Z

 产品简介
DIODES 的 ZXTP2008Z（PNP、30V、5.5A、SOT89）这款新型低饱和 30V PNP 晶体管采用 SOT89 封装，导通状态损耗低，非常适合用于 DC-DC 电路、线路开关以及各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格 
品牌       DIODES
型号      ZXTP2008Z
名称      PNP低饱和中功率晶体管
产地       台湾
封装       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-30伏
IC=5.5A连续集电极电流
ICM=-20A峰值脉冲电流
低饱和电压VCE（SAT）<1A时最大<-60mV
RSAT=24mΩ @ -5.5A用于低等效导通电阻
低至-10mA的卓越增益线性
hFE规定高达-20A用于高增益保持
无铅饰面；符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准

 

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