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ZXTP2012G PNP 中功率 低饱和 晶体管

半导体 晶体管
型号： ZXTP2012G

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXTP2012G
  • 名称 PNP中功率低饱和晶体管
  • 产地 台湾
  • 封装 SMD/DIP

--- 产品详情 ---

ZXTP2012G

产品简介
DIODES 的 ZXTP2012G（PNP、60V、5.5A、SOT223）这种采用 SOT223 封装的新型低饱和 60V PNP 晶体管具有极低的导通状态损耗，使其非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格 
品牌       DIODES
型号     ZXTP2012G
名称      PNP中功率低饱和晶体管
产地       台湾
封装       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-60V
IC=5.5A连续集电极电流
ICM=-15A峰值脉冲电流
低饱和电压VCE（SAT）<-70mV Max@-1A
RSAT=39米Ω @ -5A表示低等效导通电阻
hFE规定高达-10A用于高增益保持
无铅饰面；符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准

 

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