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ZXTP2013G PNP 中功率 低饱和 晶体管

半导体 晶体管
型号： ZXTP2013G

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXTP2013G
  • 名称 PNP中功率低饱和晶体管
  • 产地 台湾
  • 封装 SMD/DIP

--- 产品详情 ---

ZXTP2013G 

产品简介
DIODES 的 ZXTP2013G（PNP, 100V, 5A, SOT223）这种采用 SOT223 封装的新型低饱和 100V PNP 晶体管提供极低的导通状态损耗，使其非常适合用于 DC-DC 电路和各种驱动和电源管理功能。

 

产品规格 
品牌       DIODES
型号     ZXTP2013G
名称      PNP中功率低饱和晶体管
产地       台湾
封装       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-100伏
IC=-5A高连续集电极电流
ICM=-10A峰值脉冲电流
低饱和电压VCE（SAT）<-90mV@-1A
RSAT=60mΩ，适用于低等效导通电阻
高增益保持规定的hFE高达-10A
无铅饰面；符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
适用于需要特殊更改的汽车应用

 

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