--- 产品参数 ---
- 极低电压噪声 1nV/√Hz(最大值,100Hz)
- 低失调电压(VOS) 200 µV(最大值)
- 高增益带宽积 200 MHz
--- 产品详情 ---
MAT12是一款双通道NPN匹配晶体管对,专门针对超低噪声音频系统而设计。
该器件具有极低的输入基极分布电阻(rbb典型值为28 Ω)和高电流增益(IC = 1 mA时,hFE典型值超过600),可以实现卓越的信噪比。与采用市面有售的单芯片放大器的系统相对,高电流增益可以带来出色的性能。
MAT12具有出色的电流增益匹配(ΔhFE约为0.5%)和较低的VOS(典型值为10 µV),是有利于减少高阶放大器谐波失真的对称平衡设计的理想选择。
基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。
MAT12同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外,由于晶体管对之间的 VBE不匹配时,电流镜的精度会呈指数级下降,因此,在多数电路应用中,MAT12的低VOS 无需进行失调调整。
MAT12是MAT02出色的替代产品,其性能和特性可在−40°C至+85°C的扩展温度范围内得到保证。
- 极低电压噪声:1nV/√Hz(最大值,100Hz)
- 出色的电流增益匹配:0.5%(典型值)
- 低失调电压(VOS):200 µV(最大值)
- 出色的失调电压漂移:0.03 µV/°C(典型值)
- 高增益带宽积:200 MHz
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