ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是一个适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 光纤控制电路
- 精密仪器
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 μV p-p（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
A级： 10 ppm/℃（最大值）
B级： 3 ppm/℃（最大值） - 负载调整率： 15 ppm/mA
- 线性调整率： 20 ppm/V
- 宽工作电压范围
ADR430： 4.1 V至18 V
ADR431： 4.5 V至18 V
ADR433： 5.0 V至18 V
ADR434： 6.1 V至18 V
ADR435： 7.0 V至18 V - 高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA
- 宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃
LT1019IS8-5
LH0070-0H
LH0070-1H
LH0070-2H
LT1021BCH-5
LT1021BCN8-10
LT1021BCN8-5
LT1021BCN8-7
LT1021CCN8-10
LT1021CCN8-5
LT1021CIN8-10
LT1021CIN8-5
LT1021DCN8-10
LT1021DCN8-5
LT1021DCN8-7
LT1021DCS8-10
LT1021DCS8-5
LT1021DCS8-7
LT1021DIN8-10
LT1021DIN8-5
LT1031BCH
LT1031BMH
LT1031CCH
LT1031DCH
