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DMC1030UFDB 互补对增强模式 MOSFET 晶体管

MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMC1030UFDB

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMC1030UFDB
  • 名称 互补对增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6

--- 产品详情 ---

DMC1030UFDB 

产品简介
DIODES 的 DMC1030UFDB 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。


产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMC1030UFDB
名称            互补对增强模式 MOSFET
产地            台湾
封装             U-DFN2020-6


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12, 12 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.1, 3.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.36 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 34, 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 40, 81 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 50, 115 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4, 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.2, 13 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 23.1, 20.8 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 1003, 1028 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6, 6 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容
薄型，最大高度0.6mm


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