--- 产品参数 ---
- 驱动配置 半桥
- 驱动通道数 2
- 负载类型 MOSFET/IGBT
- 是否隔离 非隔离
- Vin Max 600V
- Vcc Max 10V-20V
- IO-/IO+ 1.8A/1.4A
- Inputs IN/SD*
- Deadtime 400ns -5us
- ton/toff 680ns/270ns
- tr/tf 40ns/20ns
- Package SOIC-14/PDIP-14
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
TF21844M是一种高压、高速栅极驱动器,能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和IGBT。TF半导体的高压过程使TF21844M的高侧能够在引导操作中切换到600V。
TF21844M逻辑输入与标准TTL和CMOS级别(降至3.3V)兼容,可以方便地与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,设计为最小的驱动器交叉传导。可编程死时间,由外部电阻,提供了更多的系统级灵活性。
TF21844M-TUH采用的是SOIC-14的封装.主要应用领域为:电源,工业驱动类/升降梯/滚梯/伺服 步进/风机,功放音响,化成设备等行业
TF21844M-TUH可完美替代兼容 IRS21844STRPBF,IR21844STRPBF,2ED21844S06J 。
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