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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMG1013T 互补对增强模式 MOSFET 晶体管

MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMG1013T

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG1013T
  • 名称 互补对增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT323

--- 产品详情 ---

DMG1013T 

产品简介
DIODES 的 DMG1013T 这种新一代MOSFET设计用于最大限度地减少导通状态电阻（RDS（on）），并且仍然保持优异的切换性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
DC-DC转换器
负载开关
电源管理功能


产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG1013T
名称            互补对增强模式 MOSFET
产地            台湾
封装             SOT323


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.46 A
PD @TA = +25°C (W) 0.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 900 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1300 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.58 nC
CISS Typ (pF) 59.76 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏


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