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DMG1016UDW 互补对增强模式 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMG1016UDW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG1016UDW
  • 名称 互补对增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT363

--- 产品详情 ---

DMG1016UDW 

产品简介
DIODES 的 DMG1016UDW 这种新一代MOSFET被设计为最小化状态电阻（RD（ON）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。


产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG1016UDW
名称            互补对增强模式 MOSFET
产地            台湾
封装            SOT363


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20, 20 V
|VGS| (±V) 6, 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.07, 0.85 A
PD @TA = +25°C (W) 0.33 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450, 750 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600, 1050 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750, 1500 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5, 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.74, 0.62 nC
CISS Typ (pF) 60.67, 59.76 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10, 16 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏


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