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DMG2301LK 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMG2301LK

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG2301LK
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMG2301LK 

产品简介
DIODES 的 DMG2301LK 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON))同时保持卓越的切换性能,使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
背光
电源管理功能
DC-DC转换器
电机控制


产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG2301LK
名称            P 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 160 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 210 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 298 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.4 nC
CISS Typ (pF) 156 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
ESD保护门


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