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DMG302PU 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMG302PU

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG302PU
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMG302PU

产品简介
DIODES 的 DMG302PU 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG302PU
名称            P 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 25 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.17 A
PD @TA = +25°C (W) 0.45 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.65 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 27.2 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速切换速度
小型表面安装封装


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