产品简介
DIODES 的 DMG4511SK4 这款新一代 35V N + P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合直流风扇、电池组和逆变器以及其他电源管理功能。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG4511SK4
名称 互补对增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252-4L
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 35, 35 V
|VGS| (±V) 20, 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13, 12 A
PD @TA = +25°C (W) 4.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 35, 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 65, 65 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3, 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8, 9.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.7, 19.2 nC
CISS Typ (pF) 850, 985 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25, 25 V
主要特征
0.6mm轮廓–非常适合低轮廓应用
PCB占地面积4mm2
低栅极阈值电压
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