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DMG4800LSD 沟道增强模式 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMG4800LSD

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG4800LSD
  • 名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SO-8

--- 产品详情 ---

DMG4800LSD 

产品简介
DIODES 的 DMG4800LSD 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选用于高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG4800LSD
名称            双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地            台湾
封装            SO-8

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.6 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.56 (@5V) nC
CISS Typ (pF) 798 pF


主要特征
100%雪崩额定部件
低RDS（ON）–最大限度地减少传导损耗
低Qg–最大限度地减少开关损耗


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