--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMG4822SSD
- 名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SO-8
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMG4822SSD 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其高效电源管理应用的理想选择
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMG4822SSD
名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 SO-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 1.42 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 31 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.5 nC
CISS Typ (pF) 479 pF
主要特征
低导通电阻
低输入电容
低输入/输出泄漏
低栅极电阻
开关速度快
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