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DMG6301UDW 沟道增强模式 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMG6301UDW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG6301UDW
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT363

--- 产品详情 ---

DMG6301UDW 

 

产品简介
DIODES 的 DMG6301UDW 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG6301UDW 
名称            N沟道MOSFET
产地            台湾
封装            SOT363

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 25 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.24 A
PD @TA = +25°C (W) 0.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 5000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.65 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.36 nC
CISS Typ (pF) 27.9 pF


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
小型表面安装组件
ESD保护门（>6kV人体模型）


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