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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMHT10H032LFJ 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMHT10H032LFJ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMHT10H032LFJ
  • 名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 V-DFN5045-12

--- 产品详情 ---

DMHT10H032LFJ 

产品简介
DIODES 的 DMHT10H032LFJ 这款新一代互补 MOSFET H 桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMHT10H032LFJ
名称            100V N 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            V-DFN5045-12

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 33 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.9 nC
CISS Typ (pF) 683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
热效率高的封装 – 运行温度更低的应用
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
开关速度快


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