产品简介
DIODES 的 DMHT10H032LFJ 这款新一代互补 MOSFET H 桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMHT10H032LFJ
名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 V-DFN5045-12
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 33 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 50 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.9 nC
CISS Typ (pF) 683 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
热效率高的封装 – 运行温度更低的应用
高转换效率
低 RDS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
开关速度快
相关型号
DMG7410SFG
DMG7430LFG
DMG7430LFGQ
DMG8601UFG
DMG8822UTS
DMG8880LK3
DMG9926UDM
DMG9926USD
DMG9933USD
DMGD7N45SSD
DMHC10H170SFJ
DMHC3025LSD
DMHC3025LSDQ
DMHC4035LSD
DMHC4035LSDQ
DMHC6070LSD
DMHT10H032LFJ
DMHT3006LFJ
DMHT6016LFJ
DMN1001UCA10
DMN1002UCA6
DMN1003UCA6
DMN1003UFDE
DMN1004UFDF
DMN1004UFV
DMN1006UCA6
DMN1008UFDF
DMN1008UFDFQ
