产品简介
DIODES 的 DMN1019UVT这这种新一代MOSFET的设计目的是最大限度地降低现场电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的开关性能性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN1019UVT
名称 N沟道MOSFET
产地 台湾
封装 TSOT26
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.73 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 28 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 50.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2588 pF
主要特征
低导通电阻
ESD保护门
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