DMN10H099SK3 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMN10H099SK3这款新一代互补 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMN10H099SK3
名称            N 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            TO252

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 17 A
PD @TA = +25°C (W) 2.45 W
PD @TC = +25°C (W) 34 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 99 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.2 nC
CISS Typ (pF) 1172 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

主要特征
低低RDS（ON）–确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸的热效率封装使密度最终产品

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