产品简介
DIODES 的 DMN10H120SE这种新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN10H120SE
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT223
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 110 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 122 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10 nC
CISS Typ (pF) 549 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
小型表面贴装封装
完全无铅且完全符合 RoHS 标准（注释 1 和 2）
不含卤素和锑。“绿色”设备（注3）
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