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DMN10H170SVT 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN10H170SVT

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN10H170SVT
  • DMN10H170S N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TSOT26

--- 产品详情 ---

DMN10H170SVT 

产品简介
DIODES 的 DMN10H170SVT这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌             DIODES
型号             DMN10H170SVT
名称             N 沟道增强型 MOSFET
产地              台湾
封装              TSOT26


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 160 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 200 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.7 nC
CISS Typ (pF) 1167 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
完全无铅且完全符合 RoHS 标准 
不含卤素和锑。“绿色”设备


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