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DMN10H220L 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN10H220L

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN10H220L
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN10H220L 

产品简介
DIODES 的 DMN10H220L这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌             DIODES
型号             DMN10H220L
名称             N 沟道增强型 MOSFET
产地              台湾
封装              SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.3 nC
CISS Typ (pF) 401 pF


主要特征
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏


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