DMN10H220LFVW 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的 DMN10H220LFVW这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选用于高效电源管理应用。

产品规格 
品牌              DIODES
型号              DMN10H220LFVW
名称              100V N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               PowerDI®3333-8

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 11 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 41 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 222 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 270 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.4 nC
CISS Typ (pF) 366 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V

主要特征
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
用于改进光学检测的可润湿侧面

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