产品简介
DIODES 的 DMN10H6D2LFDB这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON））同时保持卓越的切换性能，使其成为理想之选用于高效电源管理应用。
小型伺服电机控制
功率MOSFET栅极驱动器
切换应用程序
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN10H6D2LFDB
名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.2 nC
主要特征
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
高漏源电压额定值
ESD 保护高达 1kV
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