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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN10H700S 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN10H700S

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN10H700S
  • 名称 100V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN10H700S 

产品简介
DIODES 的 DMN10H700S这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌              DIODES
型号              DMN10H700S
名称              100V N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.7 A
PD @TA = +25°C (W) 0.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 900 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 4.6 nC
CISS Typ (pF) 235 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
小型表面贴装封装
符合 AEC-Q101 高可靠性标准


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