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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN1150UFL3 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN1150UFL3

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN1150UFL3
  • 名称 双 N 沟道增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X2-DFN1310-6 (Type B)

--- 产品详情 ---

DMN1150UFL3 

产品简介
DIODES 的 DMN1150UFL3 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理应用。
电机控制
电源管理功能
背光

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN1150UFL3
名称               双 N 沟道增强模式 MOSFET
产地               台湾
封装               X2-DFN1310-6 (Type B)


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 185 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 210 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.4 nC
CISS Typ (pF) 115 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
占地面积仅为 1.3 毫米2
超薄型封装 - 0.35mm 轮廓
低栅极阈值电压
开关速度快
超小型表面贴装封装
ESD保护栅极


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