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DMN13H750S 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN13H750S

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN13H750S
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN13H750S 

产品简介
DIODES 的DMN13H750S 这种新一代 MOSFET 的设计旨在最大限度地减少通态电阻 (RDS(ON)) 并保持卓越的开关性能性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN13H750S
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT23

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 130 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.26 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 750 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 850 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.6 nC
CISS Typ (pF) 231 pF


主要特征
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
小型表面贴装封装


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