DMN14M8UFDF 沟道增强型 MOSFET 晶体管

产品简介
DIODES 的DMN14M8UFDF 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN14M8UFDF
名称               12V N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               U-DFN2020-6

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 29.5 nC
CISS Typ (pF) 1246 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V

主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占板面积为 4mm2  低栅极阈值电压
低导通电阻

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