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DMN15H310SE 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN15H310SE

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN15H310SE
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223

--- 产品详情 ---

DMN15H310SE 

产品简介
DIODES 的DMN15H310SE 这种新一代MOSFET设计用于最大限度地减少导通状态电（RDS（on）），并且仍然保持优异的切换性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN15H310SE
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT223

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 150 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 7.1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 310 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 330 (@5V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.7 nC
CISS Typ (pF) 405 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动
低输入电容


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