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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN2011UFX 沟道增强型 MOSFET 晶体管

DMN2011UFX MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMN2011UFX

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2011UFX
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 V-DFN2050-4

--- 产品详情 ---

DMN2011UFX 

产品简介
DIODES 的DMN2011UFX 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2011UFX
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               V-DFN2050-4

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 24 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 56 nC
CISS Typ (pF) 2248 pF


主要特征
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
ESD保护


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