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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN2011UTS 沟道增强型 MOSFET 晶体管

MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMN2011UTS

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2011UTS
  • 名称 N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TSSOP-8

--- 产品详情 ---

DMN2011UTS 

产品简介
DIODES 的DMN2011UTS 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2011UTS
名称               N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               TSSOP-8

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 25 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 24 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 56 nC
CISS Typ (pF) 2248 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低栅极阈值电压
低导通电阻
ESD保护栅极


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