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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN2013UFDE 沟道增强型 MOSFET 晶体管

MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMN2013UFDE

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2013UFDE
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6

--- 产品详情 ---

DMN2013UFDE

产品简介
DIODES 的DMN2013UFDE 这款新一代 20V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合便携式、电池组和其他电源管理功能。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2013UFDE
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               U-DFN2020-6

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.8 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2453 pF

 

主要特征
0.6mm轮廓–适用于低轮廓应用
PCB占地面积4mm2
低栅极阈值电压
ESD保护门


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