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DMN2013UFX 沟道增强型 MOSFET 晶体管

MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMN2013UFX

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • DIODES DIODES
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 W-DFN5020-6

--- 产品详情 ---

DMN2013UFX 

产品简介
DIODES 的DMN2013UFX 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2013UFX
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               W-DFN5020-6

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 2.14 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 32.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 57.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2607 pF

 

主要特征
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏


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