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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMN2015UFDF 沟道增强型 MOSFET 晶体管

MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMN2015UFDF

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2015UFDF
  • 名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6

--- 产品详情 ---

DMN2015UFDF 


产品简介
DIODES 的DMN2015UFDF这款新一代 20V N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合便携式、电池组和其他电源管理功能。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2015UFDF
名称               20V N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               U-DFN2020-6

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 42.3 nC
CISS Typ (pF) 1439 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积为 4mm2
低栅极阈值电压
低导通电阻


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