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DMN2016LFG 沟道增强型 MOSFET 晶体管

MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMN2016LFG

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2016LFG
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN3030-8

--- 产品详情 ---

DMN2016LFG

产品简介
DIODES 的DMN2016LFG这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(on) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2016LFG
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               U-DFN3030-8

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.77 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 18 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 22 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 1472 pF

 

主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速切换速度


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